Mostramos los datos guardados de este producto. Confirmaremos precio y disponibilidad al solicitar tu pedido.
TPL COMMUNICATIONS
Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
Modelo: B2114
Radiocomunicación › Refacciones › Misceláneo
$991.68 MXN + IVA
USD $52.95 · TC $18.73
✓ En stock (6)
🛡 3 años de garantía
- Tecnología MOSFET de canal N lateral
- Potencia de salida 70 W a 470 MHz
- Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
- Capacidad VSWR de 20: 1 para alta robustez
- Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
- Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz
Sin descripción disponible.
| Clave | 79186 |
|---|---|
| Marca | TPL COMMUNICATIONS |
| Modelo | B2114 |
| Stock | 6 Pieza |
| Categoría | Radiocomunicación › Refacciones › Misceláneo |
| Garantía | 3 años de garantía |
| Precio | $991.68 MXN + IVA |
Características Principales
- Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
- Potencia de salida: 70 Watts
- Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
- Ganancia: 11.5 dB
- Eficiencia: 60%
- Tecnología: MOSFET de canal N lateral
- Capacidad para manejar VSWR de 20:1
- Paquete plástico capaz de 200°C
- Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
Aplicaciones
- Equipos de comunicación móvil FM
- Amplificadores de señal RF
- Equipos industriales y comerciales
- Sistemas de radiofrecuencia
Características de Diseño
- Estabilidad térmica excelente
- Parámetros de impedancia equivalente en serie
- Disponibilidad de información del amplificador de demostración
- Paquete plástico TO-272-8
- Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
Ratings Máximos
- Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
- Voltage G-S: ±20 Vdc
- Disipación: 165 W @ 25°C
- Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C
- T. Almacenamiento: -65 a +150 °C
- T. Unión: 200 °C
Características Térmicas
- RθJC: 0.29 °C/W
Protección ESD
- Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo)
- Modelo Máquina: M2 (Mínimo)
- Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo)
Sensibilidad a la Humedad
- Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
- Nivel: 3
- Temperatura pico: 260 °C
Características OFF
- IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc)
Características ON
- VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc)
- VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc)
Características Dinámicas
- Ciss: Máx 500 pF
- Coss: Máx 250 pF
- Crss: Máx 35 pF
Características RF
- Ganancia: 11.5 dB
- Eficiencia: 60%
Frecuencias de Operación
- 135-175 MHz
- 400-470 MHz
- 450-520 MHz
Configuración del Amplificador
- Amplificador de fuente común
- Polarización de compuerta y drenaje
- Redes de entrada/salida con microstrip
- Componentes pasivos de RF
Condiciones de Prueba
- VDD = 12.5 Vdc
- IDQ = 800 mA
- Frecuencia de prueba: 470 MHz
- Pout = 70 W
- Pin = 36-38 dBm
Componentes de Prueba
- Condensadores de chip de 100 mil
- Inductores de 1 a 2 vueltas
- Resistencias de chip (1206)
- Beads de ferrita
- Microstrip de diferentes dimensiones
- Condensadores electrolíticos
Condiciones Ambientales
- Temperatura de prueba: 25°C
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
- Temperatura de operación: Hasta 200 °C
- 🚚 Envío a todo México — cargo fijo de $200 MXN por pedido (+ IVA)
- 📦 Empaque seguro — producto protegido
- 🛡 Garantía de fabricante — 3 años de garantía
- ✉️ Soporte — escríbenos a ventas@astratelecom.com.mx