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SYSCOM
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
Modelo: IRF9Z30
Radiocomunicación › Refacciones › Misceláneo
$65.05 MXN + IVA
USD $3.47 · TC $18.73
✓ En stock (5)
🛡 3 años de garantía
- MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
- Corriente continua de drenaje de 18 A
- RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
- Disipación de potencia de 74 W
- Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
- Paquete TO-220AB para montaje en PCB
Sin descripción disponible.
| Clave | 19562 |
|---|---|
| Marca | SYSCOM |
| Modelo | IRF9Z30 |
| Stock | 5 Pieza |
| Categoría | Radiocomunicación › Refacciones › Misceláneo |
| Garantía | 3 años de garantía |
| Precio | $65.05 MXN + IVA |
Transistor de Potencia MOSFET
- Tipo: Canal P
- Voltaje: 50 Volt
- Corriente: 18 Amp.
- Rds: 0.14 Ohm
- Potencia: 74 Watt
- Paquete: TO-220AB
- Aplicación: Analizador III
Características Técnicas
- FET Type: P-Channel
- Technology: MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Especificaciones Adicionales
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
- Vgs (Max): ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
- FET Feature: -
- Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
- Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type: Through Hole
Información del Paquete
- Supplier Device Package: TO-220AB
- Package / Case: TO-220-3
- Base Product Number: IRF9Z30
- 🚚 Envío a todo México — cargo fijo de $200 MXN por pedido (+ IVA)
- 📦 Empaque seguro — producto protegido
- 🛡 Garantía de fabricante — 3 años de garantía
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